Publication:
Deposition of Metal-Doped Diamond-Like Films Using a Hollow Cathode Discharge

Дата
2020
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020, Pleiades Publishing, Inc.Abstract—A simple technique is presented for producing diamond-like films with copper impurity by sputtering the surface of a copper cathode with argon ions in a glow discharge with a hollow cathode with simultaneous chemical deposition diamond-like films on its surface. It was shown that a small (up to 1: 1000) admixture of propane at the pressure of the plasma forming gas of 40 Pa does not affect the plasma parameters, however, it allows you to vary the relative copper content in the diamond-like film.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Sorokin, I. A. Deposition of Metal-Doped Diamond-Like Films Using a Hollow Cathode Discharge / Sorokin, I.A., Kolodko, D.V., Krasnobaev, K.I. // Journal of Communications Technology and Electronics. - 2020. - 65. - № 3. - P. 286-289. - 10.1134/S1064226920030183
Коллекции