Publication:
Temperature influence on process of Ti/Al/Ni/Au contact formation to heterostructure AlGaN/GaN

Дата
2019
Авторы
Shostachenko, S. A.
Porokhonko, Y. A.
Zakharchenko, R. V.
Leshchev, S. V.
Maslov, M. M.
Katin, K. P.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт фундаментальных проблем социо-гуманитарных наук
Институт фундаментальных проблем социо-гуманитарных наук (ИФП СГН) был создан в 2022 году для решения стратегических задач развития НИЯУ МИФИ. Основной целью создания ИФП СГН является повышение качества гуманитарного образования. В связи с этим, в число приоритетных задач Института входит: консолидация гуманитарных ресурсов НИЯУ МИФИ; курирование междисциплинарных исследований и проектов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. This paper is dedicated to the experimental investigation of Ohmic contacts to the n+-doped region of the AlGaN/GaN transistor heterostructure based on Ti/Al/Ni/Au metallization. The Al-Ti-N system has been assessed on the basis of available thermodynamic descriptions for binary subsystems. The effect of annealing temperature on the specific resistance of Ohmic contact was studied.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Temperature influence on process of Ti/Al/Ni/Au contact formation to heterostructure AlGaN/GaN / Shostachenko, S.A. [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 498. - № 1. - 10.1088/1757-899X/498/1/012019
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/498/1/012019
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85065596218&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000472784800019
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/17950
Коллекции
Публикации