Publication:
Characterization of the Effects of Neutron-Induced Displacement Damage on the SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors

Дата
2021
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
This paper explores the effects of neutron-induced displacement damage on static and high frequency parameters of three types of SiGe: npn heterostructure bipolar transistors from the SGB25V BiCMOS technology. © 2021 IEEE.
Описание
Ключевые слова
Displacement damage effects , Fast-neutron irradiation , Radiation effects , SiGe:C HBT
Цитирование
Characterization of the Effects of Neutron-Induced Displacement Damage on the SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors / Sotskov, D.I. [et al.] // RADECS 2021 - European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems. - 2021. - 10.1109/RADECS53308.2021.9954481
Коллекции