Персона:
Котов, Владислав Николаевич

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Статус
Фамилия
Котов
Имя
Владислав Николаевич
Имя

Фильтры

2021 - 20244
31
4
Сброс фильтров

Настройки

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 4 из 4
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Total Ionizing Dose Sensitivity of 180 nm Silicon-on-Insulator Microwave Low-Noise Amplifier
    (2021) Gorbunov, M. S.; Zhidkov, N. M.; Sotskov, D. I.; Sotskov,D.I.; Kuznetsov, A. G.; Kotov, V. N.; Elesin, V. V.; Жидков, Никита Михайлович; Сотсков, Денис Иванович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Котов, Владислав Николаевич; Елесин, Вадим Владимирович
    © 2021 IEEE.We study the total ionizing dose (TID) effects sensitivity of 180 nm Silicon-on-Insulator (SOI) microwave low-noise amplifier (LNA) parameters. We use the previously developed Verilog-A based model to explain the results obtained.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    SiGe BiCMOS Voltage-Controlled Oscillator and Mixer IP-blocks for the Next-Generation Communication Transceivers
    (2021) Selishchev, I. A.; Sotskov, D.; Kuznetsov, A. G.; Usachev, N. A.; Elesin, V. V.; Kotov, V. N.; Balbekov, A. O.; Сотсков, Денис Иванович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Усачев, Николай Александрович; Елесин, Вадим Владимирович; Котов, Владислав Николаевич
    © 2021 IEEE.Design and testing results of I/Q mixer and voltage-controlled oscillator IP-blocks for application in 5G communications are presented. IP-blocks were implemented in a commercial 0.42/0.25 µm SiGe BiCMOS process. The test results demonstrate that designed mixer has a conversion gain of more than 5.5 dB in the operating RF frequency range from 25.5 GHz to 26.5 GHz and IF frequency range from 1 GHz to 2 GHz, power consumption less than 235 mW. The designed voltage-controlled oscillator has an operating frequency range from 20.8 GHz to 24.6 GHz in the control voltage range from 0 V to 4 V, the output power is not less than 6 dBm, power consumption is less than 116 mW.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Characterization of the Effects of Neutron-Induced Displacement Damage on the SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors
    (2021) Sotskov, D. I.; Kuznetsov, A. G.; Elesin, V. V.; Selishchev, I. A.; Kotov, V. N.; Nikiforov, A. Y.; Сотсков, Денис Иванович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Елесин, Вадим Владимирович; Котов, Владислав Николаевич; Никифоров, Александр Юрьевич
    This paper explores the effects of neutron-induced displacement damage on static and high frequency parameters of three types of SiGe: npn heterostructure bipolar transistors from the SGB25V BiCMOS technology. © 2021 IEEE.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Открытый доступ
    МЕТОДИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ ПИТАНИЕМ МИКРОСХЕМЫ РАДИОЧАСТОТНОЙ МЕТКИ СИСТЕМ ЦИФРОВОЙ МАРКИРОВКИ И ИДЕНТИФИКАЦИИ ОБЪЕКТОВ КРИТИЧЕСКОЙ ИНФРАСТРУКТУРЫ
    (НИЯУ МИФИ, 2024) Сотсков, Д. И.; Котов, В. Н.; Зубаков, А. В.; Усачев, Н. А.; Никифоров, А. Ю.; Бойченко, Д. В.; Сотсков, Денис Иванович; Котов, Владислав Николаевич; Никифоров, Александр Юрьевич; Зубаков, Алексей Владимирович; Усачев, Николай Александрович; Бойченко, Дмитрий Владимирович
    Представлена методика проектирования основной части блока управления питанием (БУП) микросхемы радиочастотной метки (РЧМ) УВЧ-диапазона. Методика представляет собой пошаговый алгоритм проектирования БУП и состоит из пяти взаимосвязанных этапов. На первом этапе осуществляется формирование требований к параметрам БУП (выходное напряжение, мощность постоянного тока на выходе, коэффициент полезного действия, емкость выходного конденсатора) и значению добротности аналогового тракта РЧМ. На втором этапе осуществляется проектирование электрической схемы умножителя напряжения (УН), предназначенного для преобразования напряжения входного радиочастотного (РЧ) сигнала в нестабилизированное постоянное напряжение. В ходе третьего этапа осуществляется проектирование электрической схемы ограничителя постоянного напряжения, необходимого для снижения уровня выходного напряжения УН до безопасного уровня. Результатом выполнения четвертого этапа является электрическая схема защиты от перенапряжения, предназначенной для обеспечения требуемого уровня стойкости микросхемы РЧМ к воздействию электростатического разряда и РЧ сигнала высокой мощности. В рамках заключительного этапа осуществляется оценка и приведение в соответствие с требуемым значением добротности аналогового тракта РЧМ. Предложенная методика может быть использована для оперативной разработки отечественных микросхем РЧМ УВЧ-диапазона (стандарты ISO 18000-6C, GJB 7377.1 и др.) на основе КМОП технологических процессов, в т.ч. микросхем РЧМ, предназначенных для применения на объектах критической инфраструктуры. С использованием представленной методики выполнено проектирование БУП с расчетным значением коэффициента полезного действия 70%, оценочной добротностью аналогового тракта РЧМ менее 15 при мощности входного РЧ сигнала 12,7 дБм.