Publication:
Total Ionizing Dose Sensitivity of 180 nm Silicon-on-Insulator Microwave Low-Noise Amplifier

Дата
2021
Авторы
Gorbunov, M. S.
Zhidkov, N. M.
Sotskov, D. I.
Sotskov,D.I.
Kuznetsov, A. G.
Kotov, V. N.
Elesin, V. V.
Жидков, Никита Михайлович
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021 IEEE.We study the total ionizing dose (TID) effects sensitivity of 180 nm Silicon-on-Insulator (SOI) microwave low-noise amplifier (LNA) parameters. We use the previously developed Verilog-A based model to explain the results obtained.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Total Ionizing Dose Sensitivity of 180 nm Silicon-on-Insulator Microwave Low-Noise Amplifier / Gorbunov, M.S. [et al.] // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM. - 2021. - 2021-September. - P. 365-368. - 10.1109/MIEL52794.2021.9569162
Коллекции