Персона: Гришаков, Константин Сергеевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Гришаков
Имя
Константин Сергеевич
Имя
45 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 45
- ПубликацияОткрытый доступПРОГРАММА ДЛЯ РАСЧЕТА ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ НАНОСТРУКТУРАХ(НИЯУ МИФИ, 2022) Гришаков, К. С.; Каргин, Н. И.; Каргин, Николай Иванович; Гришаков, Константин СергеевичПрограмма предназначена для расчета переходных процессов в резонансно-туннельных гетероструктурах, вызванных изменениями напряжения. Программа решает временную систему уравнений Шредингера и Пуассона с точными открытыми граничными условиями. На входе задаются параметры гетероструктуры и величина переключаещего напряжения. На выходе идет запись в файл зависимости тока от времени, напряжения от времени, а также зависимости концентрации электронов, потенциала структуры и различных составляющих полного тока от координаты для заданных пользователем временных шагов. Программа может применяться в области наноэлектроники для исследования физических особенностей переходных процессов, нахождения и оптимизации времен переходных процессов в резонансно-туннельных гетероструктурах. Тип ЭВМ: IBM PC-совмест. ПК; ОС: Windows ХР и выше, Linux.
- ПубликацияТолько метаданныеInterlayer Heat Conductivity and Thermal Stability of Distorted Bilayer Graphene(2021) Podlivaev, A. I.; Grishakov, K. S.; Katin, K. P.; Maslov, M. M.; Подливаев, Алексей Игоревич; Гришаков, Константин Сергеевич; Катин, Константин Петрович; Маслов, Михаил Михайлович© 2021, Pleiades Publishing, Inc.The nonorthogonal tight-binding potential is augmented by long-range terms needed for a correct description of the interlayer interaction in bilayer graphene. The molecular dynamics method is used to study the heat transfer between two distorted graphene layers, one of which is initially cooled down to 0 K, and the second one is heated up to 77−7000 K. The characteristic time of the heat transfer depending on the initial temperature of the heated layer and the distortion of the layers is determined. It is demonstrated that both factors significantly affect the intensity of interlayer heat transfer. It is found that, during the characteristic time of temperature equalization, thermally induced defects of various types, including melting, separation of the layers, and tangential shear of the heated layer, can appear in the system. It is shown that the formation of thermally induced defects can result in more than an order of magnitude increase in the rate of interlayer heat transfer.
- ПубликацияОткрытый доступПРОГРАММА ДЛЯ РАСЧЕТА СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ GAN(НИЯУ МИФИ, 2022) Гришаков, К. С.; Каргин, Н. И.; Каргин, Николай Иванович; Гришаков, Константин СергеевичПрограмма предназначена для расчета вольт-амперных характеристик GaN резонансно-туннельных диодов (РТД) с учетом межэлектронного взаимодействия, поляризационных зарядов на гетерограницах. Область применения программы: оптимизация статических характеристик GaN РТД. Пользователем задаются: толщины слоев, значения поляризационных зарядов на гетерограницах, степень легирования, значения эффективной массы и диэлектрической проницаемости квантовой ямы, значения разрыва зоны проводимости для барьерных слоев, температура. Далее программа решает стационарную систему уравнений Шредингера и Пуассона с открытыми граничными условиями для заданной гетероструктуры. Полученная вольт-амперная характеристика записывается в выходной текстовый файл. Программа распараллелена с помощью технологии OpenMP. Тип ЭВМ: IBM PC. ОС: Windows ХР и выше, Linux.
- ПубликацияТолько метаданныеThermodynamics of hydrogen isotopes in tungsten(2025) Degtyarenko, N. N.; Grishakov, K. S.; Дегтяренко, Николай Николаевич; Гришаков, Константин Сергеевич
- ПубликацияОткрытый доступПРОГРАММА ДЛЯ РАСЧЕТА ЭНЕРГИЙ И ВОЛНОВЫХ ФУНКЦИЙ СТРУКТУР С МНОЖЕСТВОМ КВАНТОВЫХ ЯМ В РАМКАХ 4X4 KP-ГАМИЛЬТОНИАНА ПРИ НАЛИЧИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ И МЕХАНИЧЕСКИ НАПРЯЖЕННЫХ СЛОЕВ(НИЯУ МИФИ, 2023) Гришаков, К. С.; Васильевский, И. С.; Каргин, Н. И.; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич; Гришаков, Константин СергеевичПрограмма позволяет находить заданное пользователем количество электронных и дырочных энергетических уровней, и соответствующие им нормированные волновые функции в гетеро структурах с множеством квантовых ям, в том числе при наличии напряженных слоев. Для дырочных состояний программа решает задачу на собственные значения 4x4 kp-Гамильтониана. Для электронных состояний программа решает задачу на собственные значения уравнений Шредингера с зависящей от координаты эффективной массой. При наличии электрического поля для нахождения электронных и дырочных состояний на границах расчетной области применяются идеально согласованные слои. На входе в программу задаются параметры слоевой структуры и величина электрического поля. Программа может применяться в области наноэлектроники и радиофотоники. Тип ЭВМ: IBM PC - совместимый компьютер; ОС: Windows ХР и выше, Linux.
- ПубликацияТолько метаданныеInfluence of Substitutional Doping by Boron and Nitrogen Atoms on Electronic and Optical Characteristics of Diamanes(2025) Grekova, A. A.; Grishakov,K.S.; Katin, K. P.; Maslov, M. M.; Гришаков, Константин Сергеевич; Катин, Константин Петрович; Маслов, Михаил Михайлович
- ПубликацияТолько метаданныеKinetic stability of nitrogen cubane inside the fullerene cage: Molecular dynamics study(2020) Gimaldinova, M. A.; Katin, K. P.; Grishakov, K. S.; Maslov, M. M.; Гимальдинова, Маргарита Александровна; Катин, Константин Петрович; Гришаков, Константин Сергеевич; Маслов, Михаил МихайловичUsing tight-binding molecular dynamics simulations, we study kinetic stability of the nitrogen cubane inside the fullerene carbon cage. The main identified mechanism of N-8 decomposition is the N-N bond breaking with the further rapid "splitting" into the N-2 molecules that can form the strong covalent bonds with the inner surface of the fullerene cage. It is found that the fullerene cage significantly increases the stability of the N-8 cube, but its lifetime at room temperature is insufficient to observe the endohedral complex N-8@C-60 without the use of extreme temperature conditions. It can be synthesized and investigated only at cryogenic temperatures.
- ПубликацияТолько метаданныеNumerical Optimization of Grating Coupler Parameters for InP-based Photonic Circuits(2019) Grishakov, K. S.; Kargin, N. I.; Гришаков, Константин Сергеевич; Каргин, Николай Иванович© 2019 IEEE.We have performed 2D finite-difference time-domain (FDTD) simulations of fiber to chip coupling. The experimental semiconductor structure of the waveguide based on In-GaAsP /InGaAIAs compounds was used in the calculations. This structure is intended for use in electro-optical modulators constructed according to the Mach-Zehnder scheme. Our numerical calculations showed that a simple uniform grating couplers have extremely low coupling efficiency of about 5% for InP-based waveguides. We performed a global optimization of the grating coupler parameters such as etch depth, thickness, period, angle of the grating in relation to the waveguide, etc. We demonstrated a maximal coupling efficiency of about 60% which can be further increased by optimizing a number of other parameters.
- ПубликацияОткрытый доступОПТИМИЗАЦИЯ ГЕТЕРОГЕННЫХ СТРУКТУР С ПОДСИСТЕМОЙ ПОЛИМЕРНОГО АЗОТА(НИЯУ МИФИ, 2026) ГРИШАКОВ, К. С.; ДЕГТЯРЕНКО, Н. Н.; Дегтяренко, Николай Николаевич; Гришаков, Константин СергеевичВ рамках теории функционала плотности показана возможность создания новых устойчивых при нормальных условиях молекул азидофуллеренов C36N36. Определены их энергетические, электронные и структурные характеристики. Продемонстрирована возможность формирования гетерогенных трехмерных кристаллических структур из азидофуллеренов, динамически устойчивых при нормальном давлении.
- ПубликацияТолько метаданныеCarbon vs silicon polyprismanes: a comparative study of metallic sp(3)-hybridized allotropes(2020) Maslov, M. M.; Grishakov, K. S.; Gimaldinova, M. A.; Katin, K. P.; Маслов, Михаил Михайлович; Гришаков, Константин Сергеевич; Гимальдинова, Маргарита Александровна; Катин, Константин ПетровичPolyprismanes are the special type of single-walled nanotubes with an extremely small cross-section in the form of a regular polygon. In the presented study, we considered carbon and silicon polyprismanes that are constructed from carbon and silicon five-, six-, seven- and eight-membered rings, respectively. By means of density functional theory using the periodic boundary conditions, the geometry and electronic characteristics of these tubes were investigated. The results obtained indicate that, with an increase in the effective diameter, carbon polyprismanes undergo an abrupt change in electronic properties, which can be described as a transition from the dielectric to the metallic state. The character of the energy spectrum, as well as the behavior of transmission function near the Fermi level, illustrate that at some critical diameter they begin to exhibit non-typical for the sp(3)-carbon systems metallic nature. In such a case, it has been found from the partial density of electronic states calculation that the overlapping of bands near the Fermi level is mainly due to the 2p state of carbon atoms. Unlike carbon analogs, silicon polyprismanes are metals for any considered diameter. The metallic properties of the silicon polyprismanes arise due to the 3p states of the silicon atoms. Unexpected properties endowed by the prismane morphology discover new prospects of application of carbon and silicon nanostructures as the basic elements of future electronics.