Publication:
ПРОГРАММА ДЛЯ РАСЧЕТА СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ GAN

Файлы
elibrary_49194960_72040841.pdf(189.21 KB)
Дата
2022
Авторы
Гришаков, К. С.
Каргин, Н. И.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Программа предназначена для расчета вольт-амперных характеристик GaN резонансно-туннельных диодов (РТД) с учетом межэлектронного взаимодействия, поляризационных зарядов на гетерограницах. Область применения программы: оптимизация статических характеристик GaN РТД. Пользователем задаются: толщины слоев, значения поляризационных зарядов на гетерограницах, степень легирования, значения эффективной массы и диэлектрической проницаемости квантовой ямы, значения разрыва зоны проводимости для барьерных слоев, температура. Далее программа решает стационарную систему уравнений Шредингера и Пуассона с открытыми граничными условиями для заданной гетероструктуры. Полученная вольт-амперная характеристика записывается в выходной текстовый файл. Программа распараллелена с помощью технологии OpenMP. Тип ЭВМ: IBM PC. ОС: Windows ХР и выше, Linux.
Описание
Свидетельство о регистрации программ для ЭВМ
Ключевые слова
Программа , Расчет вольт-амперных характеристик
Цитирование
Гришаков, К. С ПРОГРАММА ДЛЯ РАСЧЕТА СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ GAN / Гришаков, К. С., Каргин, Н. И.- №2022618636; Заявл. 13.05.2022.- 2022
URI
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49194960
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/34520
Коллекции
Свидетельства о регистрации программ для ЭВМ и баз данных