Publication:
Influence of Substitutional Doping by Boron and Nitrogen Atoms on Electronic and Optical Characteristics of Diamanes

Дата
2025
Авторы
Grekova, A. A.
Grishakov,K.S.
Katin, K. P.
Maslov, M. M.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Influence of Substitutional Doping by Boron and Nitrogen Atoms on Electronic and Optical Characteristics of Diamanes / Grekova, A. A. [et al.] // Journal of Structural Chemistry. - 2025. - 66. - № 2. - P. 230-239. - 10.1134/S0022476625020027
URI
https://www.doi.org/10.1134/S0022476625020027
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-86000759808&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/37101
Коллекции
Публикации