Персона:
Герасимов, Юрий Михайлович

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Фамилия
Герасимов
Имя
Юрий Михайлович
Имя

Фильтры

20192
2
2
Сброс фильтров

Настройки

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 2 из 2
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology
    (2019) Boruzdina, A. B.; Ulanova, A. V.; Shvetsov-Shilovskii, I. I.; Gerasimov, Y. M.; Grigor'ev, N. G.; Kobylyatskii, A. V.; Герасимов, Юрий Михайлович
    © 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: This article deals with a study of radiation-induced leakages between n-regions of various types using test structures fabricated according to the 0.18-µm CMOS technology. It is shown that, depending on the radiation exposure dose, the leakages between the n+-regions and the n-well may exceed the leakages between the n+-regions by 3–9 times, which should be taken into consideration when developing radiation resistant VSHICs.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Parametric and topological methods of bulk CMOS IP-blocks yield improvement
    (2019) Gerasimov, Y. M.; Grigoryev, N. G.; Kobylyatskiy, A. V.; Герасимов, Юрий Михайлович
    © 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. This paper presents the study of the main reasons for the yield loss of modern nanometer VLSIs. The methods of the yield improvement are described on the basis of the impact of parametric and catastrophic reasons for its loss.