Publication:
Parametric and topological methods of bulk CMOS IP-blocks yield improvement

Дата
2019
Авторы
Gerasimov, Y. M.
Grigoryev, N. G.
Kobylyatskiy, A. V.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. This paper presents the study of the main reasons for the yield loss of modern nanometer VLSIs. The methods of the yield improvement are described on the basis of the impact of parametric and catastrophic reasons for its loss.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Gerasimov, Y. M. Parametric and topological methods of bulk CMOS IP-blocks yield improvement / Gerasimov, Y.M., Grigoryev, N.G., Kobylyatskiy, A.V. // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 498. - № 1. - 10.1088/1757-899X/498/1/012024
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/498/1/012024
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85065596429&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000472784800024
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/17949
Коллекции
Публикации