Publication:
Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology

Дата
2019
Авторы
Boruzdina, A. B.
Ulanova, A. V.
Shvetsov-Shilovskii, I. I.
Gerasimov, Y. M.
Grigor'ev, N. G.
Kobylyatskii, A. V.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: This article deals with a study of radiation-induced leakages between n-regions of various types using test structures fabricated according to the 0.18-µm CMOS technology. It is shown that, depending on the radiation exposure dose, the leakages between the n+-regions and the n-well may exceed the leakages between the n+-regions by 3–9 times, which should be taken into consideration when developing radiation resistant VSHICs.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology / Boruzdina, A.B. [et al.] // Russian Microelectronics. - 2019. - 48. - № 4. - P. 268-272. - 10.1134/S1063739719030028
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063739719030028
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85069462639&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/18427
Коллекции
Публикации