Персона:
Абин, Дмитрий Александрович

Загружается...
Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Статус
Фамилия
Абин
Имя
Дмитрий Александрович
Имя

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 10 из 32
  • Публикация
    Только метаданные
    Influence of Pressure on the Critical Current and Levitation Properties of HTS Tapes
    (2021) Osipov, M. A.; Pokrovskii, S. V.; Abin, D. A.; Starikovskii, A. S.; Anischenko, I. V.; Veselova, S. V.; Rudnev, I. A.; Осипов, Максим Андреевич; Покровский, Сергей Владимирович; Абин, Дмитрий Александрович; Стариковский, Александр Сергеевич; Мартиросян, Ирина Валерьевна; Веселова, Светлана Владимировна; Руднев, Игорь Анатольевич
    © 2021, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The contemporary composite high-temperature superconducting tapes (HTS tapes) are an advanced material for development of systems based on magnetic levitation. Development of levitation systems requires awareness on information on the effect of various external factors on levitation characteristics of the tapes. One of these factors is external mechanical pressure. For comprehension of the processes of deterioration of transport and levitation characteristics originating under mechanical loads on the stacks of composite HTS tapes, the effect of pressure on the critical current and levitation properties of the HTS tapes was investigated. The compression took place in the direction perpendicular to the plane of tape. The pressure varied from 0 Pa to 695 MPa, which corresponded to the force of impact of 10 kN on the stack of fragments of HTS tapes of 12 × 12 mm2. The measurements of critical current on applied pressure both for individual tapes and for the stacks of three and five tapes were carried out. Also, the investigation of effect of compression on the levitation force of the stack of 50 tapes was carried out. The theoretical model based on the finite element method implemented with use of the Comsol Multiphysics software package was developed to analyze the obtained experimental results. On the basis of the evidence found, it can be inferred that, at uniform compression of an individual tape and stacks of tapes with small thickness (up to five tapes), deterioration of characteristics of the HTS tape takes place mainly at the boundary of the area of influence, owing to existence of bending deformation. Deterioration of the critical current and levitation force of the HTS tapes under pressures to 695 MPa was not found outside the boundaries of the impact. However, at compression of large stacks of tapes (50 units), though a boundary of compression is absent, inhomogeneous deformation of the layers of the tape proceeds, which can be produced by local flexural deformations determined by fluctuations of both shape of the tapes and thickness of the layers in individual tapes. This is responsible for a linear decrease in the levitation force with increase in pressure.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Сверхпроводящая магнитная муфта для кинетического накопителя энергии
    (НИЯУ МИФИ, 2024) Покровский, С. В.; Руднев, И. А.; Мартиросян, И. В.; Осипов, М. А.; Стариковский, А. С.; Абин, Д. А.; Абин, Дмитрий Александрович; Осипов, Максим Андреевич; Стариковский, Александр Сергеевич; Руднев, Игорь Анатольевич; Покровский, Сергей Владимирович; Мартиросян, Ирина Валерьевна
    Изобретение относится к области электротехники, а именно к устройствам бесконтактной передачи крутящего момента с ведущего вала на ведомый и расцепления его. Технический результат заключается в увеличении стабильности вращения ведомого вала и подшипников кинетического накопителя энергии, а также в возможности осуществления бесконтактного расцепления муфты без механического воздействия. Сверхпроводящая магнитная муфта для кинетического накопителя энергии состоит из двух цилиндрических полумуфт. Ведущая полумуфта соединена с внешним приводом движения и содержит держатель с постоянными магнитами, а ведомая полумуфта размещена в охлаждаемой криорефрижератором вакуумной камере на ведомом валу вращения. Оси симметрии двух полумуфт и вала совпадают. Ведущая полумуфта содержит держатель в пазах которого расположено не менее одного постоянного магнита таким образом, чтобы создаваемое ими магнитное поле не обладало вращательной симметрией относительно оси вышеупомянутого вала, а ведомая полумуфта содержит держатель, на поверхности которого, обращенной к постоянным магнитам ведущей полумуфты расположено не менее одного высокотемпературного сверхпроводящего элемента, таким образом, что возникающее от постоянных магнитов ведущей полумуфты магнитное поле проникает в сверхпроводящие элементы. А вокруг боковой поверхности ведомой полумуфты с зазором, обеспечивающим возможность вращения упомянутого выше вала с размещенной на ней ведомой полумуфтой, эквидистантно с ней установлен полый цилиндрический медный экран, имеющий плотный механический контакт с криорефрижератором. На внешнюю поверхность цилиндрического медного экрана противоположную стороне, обращенной к вышеупомянутому крутящемуся валу, намотан нагреватель. 3 ил.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Комбинированный сверхпроводящий магнитный подшипник
    (2024) Руднев, И. А.; Мартиросян, И. В.; Осипов, М. А.; Стариковский, А. С.; Абин, Д. А.; Абин, Дмитрий Александрович; Осипов, Максим Андреевич; Руднев, Игорь Анатольевич; Стариковский, Александр Сергеевич; Мартиросян, Ирина Валерьевна
    Использование: для электротехнических устройств. Сущность изобретения заключается в том, что комбинированный сверхпроводящий магнитный подшипник состоит из статора в виде полой трубы, изготовленного из немагнитного материала с высокой теплопроводностью, на внешней стороне которого выполнены сверхпроводящие обмотки, каждая из которых представляет собой намотанную слоями ВТСП-ленту, системы охлаждения ВТСП-лент и ротора, выполненного из немагнитного материала, на котором в пазах расположены постоянные магниты, причем геометрические центры каждой намотки ВТСП-лент статора и каждого ряда магнитов ротора расположены друг напротив друга, кроме того, оси симметрии ротора и статора совпадают. На одном из краев статора на его внешней поверхности вокруг трубы расположены стопки ВТСП-лент, состоящие из 1-100 слоев, причем стопки ВТСП-лент установлены внахлест с образованием полой сверхпроводящей призмы с толщиной стенок 12 мм, в основании которой лежит правильный многоугольник, причем количество сторон многоугольника определяется диаметром вышеупомянутой трубы, далее от полой сверхпроводящей призмы на расстоянии до 20 мм на внешней поверхности вышеупомянутой трубы устанавливаются друг за другом вдоль вертикальной оси трубы 5+4 n, где n=0, 1,2n, намоток ВТСП-лент шириной 12 мм, причем каждая намотка ВТСП-лент состоит от 1 до 70 слоев и покрыта слоем теплоизоляционного материала, вокруг статора напротив намоток из ВТСП-лент на расстоянии не более 30 мм от верхнего слоя намотки расположен цилиндрический ротор из немагнитного материала, на внутренней стороне которого в пазах закреплены 5+4 n, где n=0, 1, 2…n, рядов постоянных магнитов с размерами 10×10×10 мм, кроме того, ряды магнитов расположены на расстоянии 2 мм друг от друга в вертикальном направлении с образованием магнитной сборки Халбаха, причем геометрические центры каждой намотки ВТСП-лент и каждого ряда магнитов расположены друг напротив друга и в каждом ряду все магниты ориентированы в одном направлении. Технический результат: увеличение постоянного магнитного поля и улучшение стабилизации устройства при внешних воздействиях, стремящихся вызвать относительное поступательное смещение ротора и статора. 3 ил.
  • Публикация
    Открытый доступ
    БЕСКОНТАКТНЫЙ СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ МАГНИТНЫЙ ПОДШИПНИК
    (НИЯУ МИФИ, 2023) Руднев, И. А.; Подливаев, А. И.; Абин, Д. А.; Покровский, С. В.; Осипов, М. А.; Стариковский, А. С.; Стариковский, Александр Сергеевич; Руднев, Игорь Анатольевич; Абин, Дмитрий Александрович; Покровский, Сергей Владимирович; Подливаев, Алексей Игоревич; Осипов, Максим Андреевич
    Изобретение относится к электротехнике, а именно к области бесконтактных магнитных подшипников с использованием высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) лент второго поколения, и может найти применение при конструировании электротехнических устройств различного назначения с массивным вращающимся ротором/валом при бесконтактной передачи момента вращения неподвижному объекту. Технический результат заключается в обеспечении возможности перемещения положения ротора вдоль статора в процессе работы устройства для бесконтактной передачи момента вращения неподвижному объекту, а также возможности осуществления бесконтактного торможения устройства без его остановки. Бесконтактный сверхпроводящий магнитный подшипник состоит из статора в виде полой трубы, выполненной из немагнитного материала, на внешнюю поверхность которой намотаны сверхпроводящие обмотки, системы охлаждения ВТСП-лент и ротора, выполненного из немагнитного материала, причем оси симметрии ротора и статора совпадают. Ротор и статор размещены в корпусе. На одном из краев статора на его внешней поверхности вокруг трубы расположен первый цилиндрический держатель с осью симметрии, совпадающей со статором, с размещенными в нем вплотную друг к другу одинаковыми постоянными магнитами, образующими ряды вдоль оси симметрии статора, причем количество рядов не менее 4 штук. Магниты в центральных рядах держателя имеют одинаковое направление намагниченности вдоль радиального направления, перпендикулярного оси симметрии, а магниты в крайних рядах имеют направление намагниченности, противоположное центральным магнитам. За держателем расположены две сверхпроводящие обмотки, выполненные из ВТСП-лент второго поколения. Длина каждой обмотки равна расстоянию от держателей магнитов до обмотки и расстоянию между обмотками. Как минимум одна из обмоток имеет правую винтовую симметрию, вторая обмотка - левую винтовую симметрию. Каждая из этих двух обмоток представляет собой двухзаходную спираль, состоящую из двух идущих рядом вплотную друг к другу одинаковых ВТСП-лент второго поколения. За обмотками на внешней поверхности статора на расстоянии, равном расстоянию между обмотками, расположен второй идентичный первому держатель с размещенными в нем постоянными магнитами. Внутри статора расположен цилиндрический ротор в виде стержня, на внешней поверхности которого намотаны 4 сверхпроводящие обмотки. Причем 2 обмотки расположены напротив обмоток статора и полностью идентичны им, а две другие обмотки расположены напротив держателей постоянных магнитов. Каждая из этих обмоток состоит из более чем одной ВТСП-ленты, ширина которой не более, чем ширина одного из постоянных магнитов. На одном из торцов ротора расположен внешний источник вращения. 4 ил.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Магнитная цилиндрическая муфта на основе стопок ВТСП лент для кинетического накопителя энергии
    (НИЯУ МИФИ, 2024) Покровский, С. В.; Руднев, И. А.; Мартиросян, И. В.; Осипова, М. А.; Стариковский, А. С.; Абин, Д. А.; Осипов, Максим Андреевич; Покровский, Сергей Владимирович; Руднев, Игорь Анатольевич; Мартиросян, Ирина Валерьевна; Абин, Дмитрий Александрович; Стариковский, Александр Сергеевич
    Изобретение относится к области электротехники, а именно к устройствам бесконтактной передачи крутящего момента. Магнитная цилиндрическая муфта на основе стопок ВТСП лент для кинетического накопителя энергии состоит из двух цилиндрических полумуфт. Ведущая полумуфта содержит постоянные магниты, а ведомая полумуфта размещена в охлаждаемой криорефрижератором вакуумной камере. На внешней поверхности ведущей полумуфты размещены не менее одного ряда постоянных магнитов. На внутренней поверхности ведомой полумуфты напротив каждого постоянного магнита расположены стопки ВТСП лент. Количество стопок совпадает с количеством постоянных магнитов. Вокруг боковой поверхности ведомой цилиндрической полумуфты с зазором установлен полый цилиндрический медный экран, имеющий плотный механический контакт с криорефрижератором. На внешней поверхности цилиндрического медного экрана, на противоположной стороне, обращенной к вышеупомянутой ведомой полумуфте, намотан нагреватель. Достигается увеличении стабильности вращения ведомого вала. 2 ил.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Влияниe механических нагрузок на сверхпроводящие свойства ВТСП лент и сборок
    (НИЯУ МИФИ, 2024) Бородако, К. А.; Осипов, М. А.; Покровский, С. В.; Абин, Д. А.; Веселова, С. В.; Стариковский, А. С.; Руднев, И. А.; Руднев, Игорь Анатольевич; Стариковский, Александр Сергеевич; Осипов, Максим Андреевич; Покровский, Сергей Владимирович; Веселова, Светлана Владимировна; Абин, Дмитрий Александрович; Бородако, Кирилл Анатольевич
    Проведено исследование деформационной стойкости высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) лент при различных параметрах деформации. С помощью четырехконтактного метода измерялся критический ток в образцах, деформированных на инденторах диаметрами 5–20 мм растягивающими усилиями до 200 Н. Исследованы повреждения сверхпроводящего слоя и локальные сверхпроводящие свойства подвергнутых механическим воздействиям образцов при помощи сканирующей электронной микроскопии и сканирующей Холловской магнитометрии.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Особенности исследования втсп-лент методом низкотемпературной магнито-оптической визуализации
    (2024) Осипов, М. А.; Абин, Д. А.; Руднев, И. А.; Осипов, Максим Андреевич; Руднев, Игорь Анатольевич; Абин, Дмитрий Александрович
    В настоящей работе подробно разобраны особенности применения методики магнитооптической визуализации для исследования ВТСП-лент. Представлено подробное описание методики эксперимента, особенностей исследовательской установки для исследования при низких температурах. Описаны особенности проникновения магнитного поля в сверхпроводник, подробно описана процедура калибровки магнитооптической пленки и алгоритмы вычисления профилей магнитного поля по магнитооптическим изображениям.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Имитационные эксперименты на тяжелоионном ускорителе ТИПР
    (2023) Федин, П. А.; Прянишников, К. Е.; Зиятдинова, А. В.; Козлов, А. В.; Куйбида, Р. П.; Кулевой, Т. В.; Бобырь, Н. П.; Абин, Д. А.; Руднев, И. А.; Никитина, А. А.; Рогожкин, С. В.; Руднев, Игорь Анатольевич; Рогожкин, Сергей Васильевич; Никитин, Александр Александрович; Кулевой, Тимур Вячеславович; Абин, Дмитрий Александрович
    Ресурс ядерных установок, в значительной мере, ограничен деградацией конструкционных или функциональных материалов. Под действием высокоэнергетичных нейтронов в материале возникают дефекты кристаллической решетки и происходит накопление продуктов трансмутации (гелия и водорода) в структуре материала. Аттестация конструкционных материалов с использованием реакторного облучения занимает несколько лет, а сами образцы материалов становятся активированными, что затрудняет последующие послереакторные испытания. Имитационные эксперименты на пучке тяжелых ионов, позволяющие анализировать радиационную стойкость конструкционных материалов атомных и термоядерных реакторов проводятся в Курчатовском Комплексе Теоретической и Экспериментальной Физики (ККТЭФ НИЦ КИ) с 2009 г. Имитационные эксперименты на ускорителе позволяю провести высокодозные испытания не более чем за несколько суток с контролем условий его проведения (температура образцов мишени, поток ионов, доза облучения). В статье представлено описание проводимых на тяжелоионном ускорителе ТИПр имитационных облучений.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Влияние ионного облучения на структурные параметры сверхпроводящего слоя ВТСП композитов
    (2023) Абин, Д. А.; Руднев, И. А.; Стариковский, А. С.; Покровский, С. В.; Веселова, С. В.; Осипов, М. А.; Батулин, Р. Г.; Киямов, А. Г.; Федин, П. А.; Прянишников, К. Е.; Кулевой, Т. В.; Осипов, Максим Андреевич; Руднев, Игорь Анатольевич; Покровский, Сергей Владимирович; Стариковский, Александр Сергеевич; Веселова, Светлана Владимировна; Абин, Дмитрий Александрович
    Исследовано влияние облучения ионами Cu+ с энергией E = 6.3 эВ на кристаллическую структуру и критические характеристики высокотемпературных сверхпроводников на основе меди в режиме создания радиационных дефектов. Показана деградация сверхпроводящих свойств, рост параметров решетки и величины относительных напряжений, обусловленных беспорядком, вдоль оси c с увеличением флюенса вплоть до полного исчезновения сверхпроводящих свойств при флюенсе F = 1.5 ∙ 1014 см–2.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Влияние облучения протонами на критические параметры ВТСП композитов
    (2023) Абин, Д. А.; Осипов, М. А.; Стариковский, А. С.; Руднев, И. А.; Столбунов, В. С.; Кулевой, Т. В.; Федин, П. А.; Стариковский, Александр Сергеевич; Осипов, Максим Андреевич; Абин, Дмитрий Александрович; Руднев, Игорь Анатольевич
    Высокотемпературные сверхпроводящие (ВТСП) композитные ленты второго поколения – перспективные материалы для разработки источников высоких магнитных полей, в том числе для ускорителей и токамаков, где сверхпроводники могут подвергаться длительному воздействию радиационного излучения. Такое воздействие приводит к появлению дефектов в сверхпроводниках, наличие которых может приводить как к снижению токонесущей способности ВТСП вследствие деградации сверхпроводящего слоя, так и к увеличению, вследствие образования дополнительных центров пиннинга для вихрей магнитного поля. В данной работе было проведено моделирование процессов дефектообразования при облучении протонами с энергией Е = 6–20 МэВ как одиночной ленты, так и стопки из 10 ВТСП лент. Полученные результаты были проверены экспериментально при облучении стопки из 10 ВТСП лент протонами с энергией E = 6 МэВ и флюенсом до 5 ⋅ 1015 см–2. Для экспериментальных исследований использовалась промышленная ВТСП лента SuperOx с двусторонним медным покрытием толщиной 20 мкм. Показано, что для облучения протонами с энергией E = 6 МэВ, излучение практически не проходит сквозь одиночную ленту, что подтверждается тем фактом, что критический ток сверхпроводника падает только в первом слое стопки ВТСП-лент, а величина критической температуры для этого слоя отличается менее чем на 0.5% по сравнению с необлучённой лентой. Сделан вывод, что в реальных системах ВТСП-ленты могут быть легко защищены от излучения с энергией Е = 6 МэВ, но при увеличении энергии требуется более сложная конструкция защиты.Перспективные конструкционные материалы