Publication: Влияние облучения протонами на критические параметры ВТСП композитов
Дата
2023
Авторы
Абин, Д. А.
Осипов, М. А.
Стариковский, А. С.
Руднев, И. А.
Столбунов, В. С.
Кулевой, Т. В.
Федин, П. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Высокотемпературные сверхпроводящие (ВТСП) композитные ленты второго поколения – перспективные материалы для разработки источников высоких магнитных полей, в том числе для ускорителей и токамаков, где сверхпроводники могут подвергаться длительному воздействию радиационного излучения. Такое воздействие приводит к появлению дефектов в сверхпроводниках, наличие которых может приводить как к снижению токонесущей способности ВТСП вследствие деградации сверхпроводящего слоя, так и к увеличению, вследствие образования дополнительных центров пиннинга для вихрей магнитного поля. В данной работе было проведено моделирование процессов дефектообразования при облучении протонами с энергией Е = 6–20 МэВ как одиночной ленты, так и стопки из 10 ВТСП лент. Полученные результаты были проверены экспериментально при облучении стопки из 10 ВТСП лент протонами с энергией E = 6 МэВ и флюенсом до 5 ⋅ 1015 см–2. Для экспериментальных исследований использовалась промышленная ВТСП лента SuperOx с двусторонним медным покрытием толщиной 20 мкм. Показано, что для облучения протонами с энергией E = 6 МэВ, излучение практически не проходит сквозь одиночную ленту, что подтверждается тем фактом, что критический ток сверхпроводника падает только в первом слое стопки ВТСП-лент, а величина критической температуры для этого слоя отличается менее чем на 0.5% по сравнению с необлучённой лентой. Сделан вывод, что в реальных системах ВТСП-ленты могут быть легко защищены от излучения с энергией Е = 6 МэВ, но при увеличении энергии требуется более сложная конструкция защиты.Перспективные конструкционные материалы
Описание
Ключевые слова
радиационная стойкость ВТСП-лент , сверхпроводимость , критическая температура , критический ток , облучение протонами , ВТСП лента
Цитирование
Влияние облучения протонами на критические параметры ВТСП композитов [Text]. / Абин Д. А. [et al.] // Ядерная физика и инжиниринг. - 2023. - 14, 4. - С. 321-329