Персона:
Попов, Виктор Дмитриевич

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Фамилия
Попов
Имя
Виктор Дмитриевич
Имя

Фильтры

2019 - 20203
21
3
Сброс фильтров

Настройки

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 3 из 3
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Открытый доступ
    Effect of the Electric Mode gamma and Irradiation on Surface-Defect Formation at the Si-SiO2 Interface in a MOS Transistor
    (2019) Kulikov, N. A.; Popov, V. D.; Попов, Виктор Дмитриевич
    The results of experimental investigation into surface-defect formation under the effect of gamma-radiation with a dose rate P = 0.1 rad(Si)/s on MOS (metal-oxide-semiconductor) transistors with the n-type channel in the passive and active modes are presented. Two stages of surface-defect formation are observed. A qualitative model is proposed to explain the effect of the the drain transistor voltage on the defect formation process.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Investigation into Radiation Effects in a p-Channel MOS Transistor
    (2020) Kuzminova, A. V.; Kulikov, N. A.; Popov, V. D.; Кузьминова, Алла Владимировна; Попов, Виктор Дмитриевич
    © 2020, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The influence of γ radiation on surface defect formation at the Si–SiO2 interface in a p-type-channel metal—oxide-silicon (MOS) transistor in the passive mode is considered. Several surface-defect formation processes are observed. The role of molecular hydrogen in the undergate oxide of the MOS transistor and “hot” electrons forming in the silicon surface region is shown.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Effect of the active mode NMOS-transistor irradiated on formation of surface defects
    (2019) Petukhov, K. A.; Popov, V. D.; Попов, Виктор Дмитриевич
    © 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. The results of experiment on irradiation CMOS integrated circuits are presented at dose rate 0,1 rad/s with in electric and passive modes. Two stages of surface defects formation in both cases were observed.