Publication:
Effect of the active mode NMOS-transistor irradiated on formation of surface defects

Дата
2019
Авторы
Petukhov, K. A.
Popov, V. D.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. The results of experiment on irradiation CMOS integrated circuits are presented at dose rate 0,1 rad/s with in electric and passive modes. Two stages of surface defects formation in both cases were observed.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Petukhov, K. A. Effect of the active mode NMOS-transistor irradiated on formation of surface defects / Petukhov, K.A., Popov, V.D. // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 498. - № 1. - 10.1088/1757-899X/498/1/012016
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/498/1/012016
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85065572702&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000472784800016
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/17961
Коллекции
Публикации