Publication:
Investigation into Radiation Effects in a p-Channel MOS Transistor

Дата
2020
Авторы
Kuzminova, A. V.
Kulikov, N. A.
Popov, V. D.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт интеллектуальных кибернетических систем
Цель ИИКС и стратегия развития - это подготовка кадров, способных противостоять современным угрозам и вызовам, обладающих знаниями и компетенциями в области кибернетики, информационной и финансовой безопасности для решения задач разработки базового программного обеспечения, повышения защищенности критически важных информационных систем и противодействия отмыванию денег, полученных преступным путем, и финансированию терроризма.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The influence of γ radiation on surface defect formation at the Si–SiO2 interface in a p-type-channel metal—oxide-silicon (MOS) transistor in the passive mode is considered. Several surface-defect formation processes are observed. The role of molecular hydrogen in the undergate oxide of the MOS transistor and “hot” electrons forming in the silicon surface region is shown.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Kuzminova, A. V. Investigation into Radiation Effects in a p-Channel MOS Transistor / Kuzminova, A.V., Kulikov, N.A., Popov, V.D. // Semiconductors. - 2020. - 54. - № 8. - P. 877-881. - 10.1134/S1063782620080138
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063782620080138
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85089064499&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000556253900009
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/22150
Коллекции
Публикации