(НИЯУ МИФИ, 2012) Виниченко, А. Н.; Васильевский, И. С.; Грехов, М. М.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил Николаевич
Дизайн гетероструктур А3В5 имеет достаточно много степеней свободы. Не только толщина и состав слоев, способ легирования, но и изменение профиля состава может обеспечить изменение зонной структуры и условий рассеяния носителей тока, улучшить параметры транзисторов. Использование варизонных слоев в РНЕМТ AlxGa1-xAs/ InyGa1-yAs структурах еще не освоено. Известно, что в транзисторных гетероструктурах сильное легирование и большая концентрация электронов в КЯ приводят к возникновению заметной асимметрии дна КЯ. Это отрицательно сказывается на подвижности двумерных электронов, так как, во-первых, эффективная ширина КЯ снижается, вследствие чего энергетический зазор между подзонами уменьшается, во-вторых, центроид двумерных электронов располагается ближе к ионизированным донорам. Варизонные слои InyGa1-yAs с неоднородным профилем состава y(z) обеспечивают дополнительный вклад в энергетические профили зон 'Еg(z) и 'ЕC(z), что может компенсировать электростатический вклад в формирование зонной диаграммы структур. Кроме того, неоднородное распределение InAs в РНЕМТ может расширить ограничения на псевдоморфный рост канала, а также снизить ударную ионизацию, по сравнении с однородной КЯ с высоким содержанием InAs. Цель работы состояла в реализации технологии варизонных РНЕМТ гетероструктур.