(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильев, А. В.; Пресняков, М. Ю.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
Слоевой дизайн гетероструктур для СВЧ электроники непрерывно совершенствуется для увеличения дрейфовой скорости насыщения электронов, снижения рассеяния, увеличения поля насыщения. Одним из интересных решений является переход к составным квантовым ямам, содержащим несколько монослоев (МС) чистого InAs. Такое решение позволяет уменьшить эффективную массу электронов в КЯ с одной или двумя вставками InAs. В то же время, этот путь требует оптимизации технологии формирования напряженных наноразмерных слоев. В представленной работе приведены данные исследования образцов гетероструктур с различной конструкцией активной области, с одной и двумя симметрично расположенными вставками InAs методами высокоразрешающей просвечивающей растровой электронной микроскопии (ВР ПРЭМ).