Ферромагнитные полупроводники, как функциональные материалы для электроники, продолжают привлекать исследователей и конструкторов своими уникальными возможностями для организации и преобразования энергетических потоков. При этом ожидаемый скачек в развитии элементной базы микроэлектроники связывается в настоящее время с освоением нанотехнологий и размерами активных областей электронных структур, сравнимыми с длиной свободного пробега электрона (менее 100 нм). Как известно, в современной вычислительной технике реализуется идея «один электрон – один бит информации», что является последней ступенью развития элементов памяти для цифровых схем. Дальнейшее развитие этой идеи предполагает спиновая электроника, в которой элементарным носителем информации становится спин электрона, а кодирование информации сводится к закреплению пространственной ориентации спина носителя тока относительно внешнего магнитного поля. При миниатюризации электронных схем в этом случае мы также сможем достигнуть реального повышения плотности записи информации логических систем.