Publication:
Parametric layout cell design of N-MOS transistor with enhanced radiation hardened properties

Файлы
W3111640745.pdf(535.21 KB)
Дата
2020
Авторы
Khokhlov, K. O.
Serazetdinov, A. R.
Atkin, E. V.
Серазетдинов, Артур Рафикович
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020 American Institute of Physics Inc.. All rights reserved.NMOS design methodology with increased radiation hardness based on the standard manufacturer's technological libraries is presented. Key model parameters definition are discussed, as well as layout design for parametrized components and connected with layout configuration features when projecting integral layout. Test structures are presented for components characterization in radiation environment.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Khokhlov, K. O. Parametric layout cell design of N-MOS transistor with enhanced radiation hardened properties / Khokhlov, K.O., Serazetdinov, A.R., Atkin, E.V. // AIP Conference Proceedings. - 2020. - 2313. - 10.1063/5.0036567
URI
https://www.doi.org/10.1063/5.0036567
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85097977773&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000679348500270
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/22858
Коллекции
Публикации