Publication: Особенности захвата водорода при облучении циркониевых сплавов электронами в различных газовых средах
Дата
2024
Авторы
Евсин, А. Е.
Жданов, И. Д.
Кондратьев, И. Е.
Саввин, Н. О.
Беграмбеков, Л. Б.
Journal Title
Ядерная физика и инжиниринг
Journal ISSN
Volume Title
Ядерная физика и инжиниринг
Издатель
Аннотация
В работе исследуются закономерности захвата водорода под действием облучения циркониевых сплавов Э110 и Э635 потоком электронов (400 эВ, 0.8 мА/см2) в различных газовых средах, содержащих кислород и водород (Ar + O2 + H2; Ar + H2O). Изучается влияние температуры поверхности на характер наводороживания циркониевых сплавов при электронном облучении. Показано, что ни выдержка, ни облучение электронами в газовой среде, содержащей смесь H2 и O2, при 700 К в течение 20 ч не приводят к изменению уровня водорода в сплаве Э110, в то время как из сплава Э635 водород частично выходит в процессе эксперимента. Количество водорода в циркониевых сплавах после выдержки в газовой среде, содержащей H2O, в аналогичном температурно-временном режиме также меняется незначительно, однако, если в этих условиях облучать сплавы электронами, то в них становится в 1.5–2 раза больше водорода. При повышении температуры образцов до 900 К электронное облучение в присутствии паров воды, наоборот, снижает захват водорода в сплавы Э110 и Э635, по сравнению с выдержкой в той же газовой среде без облучения. Сделан вывод о том, что электронное облучение воздействует на баланс поверхностных реакций образования гидроксильных групп из адсорбированных молекул воды и обратных им реакций образования молекул воды из поверхностных гидроксилов. Направление смещения баланса этих реакций зависит от температуры поверхности.
Описание
Ключевые слова
Термодесорбционная спектрометрия , Наводороживание , Электронное облучение , Водород , Циркониевые сплавы
Цитирование
Особенности захвата водорода при облучении циркониевых сплавов электронами в различных газовых средах [Text]. / Евсин А. Е. [et al.] // Ядерная физика и инжиниринг. - 2024. - 15, 3. - С. 282-290