Publication: Формирование омических контактов к гетероструктурам на основе нитрида галлия
Дата
2020
Авторы
Шостаченко, С. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Описание
автореф. дис. ... кандидата физ.- мат. наук (05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах)
Ключевые слова
Автор МИФИ , Транзисторы , Полупроводниковые приборы , Омические контакты , Фазообразование , 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Цитирование
Шостаченко, С. А. Формирование омических контактов к гетероструктурам на основе нитрида галлия : автореф. дис. ... кандидата физ.- мат. наук (05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах) / С.А. Шостаченко; рук. работы Н.И. Каргин ; [Место защиты: НИЯУ МИФИ]. - Москва : НИЯУ МИФИ, 2020. - 22 с.