Publication: Псевдоморфные квантовые ямы AlGaAs/InGaAs/GaAs с составной структурой барьерного слоя и комбинированным легированием
Дата
2021
Авторы
Сафонов, Д. А.
Сафонов, Данил Андреевич
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Описание
автореф. дис. ... кандидата физ.-мат. наук: (05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах)
Ключевые слова
Автор МИФИ , СВЧ транзисторов , Молекулярно-лучевая эпитаксия , PHEMT гетероструктур , Эффект Холла , 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
Цитирование
Сафонов, Д. А. Псевдоморфные квантовые ямы AlGaAs/InGaAs/GaAs с составной структурой барьерного слоя и комбинированным легированием : автореф. дис. ... кандидата физ.-мат. наук: (05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах) / Д.А. Сафонов; рук. работы И.С. Васильевский ; [Место защиты: Нац. исслед. ядерный ун-т "МИФИ"]. - Москва : НИЯУ МИФИ, 2021. - 28 с.