(НИЯУ МИФИ, 2019) Гудина, С. В.; Арапов, Ю. Г.; Дерюшкина, Ю. В.; Неверов, В. Н.; Савельев, А. П.; Подгорных, С. М.; Шелушинина, Н. Г.; Якунин, М. В.; Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич
The longitudinal ρxx and Hall ρxy resistances in magnetic fields up to
12 T and temperature from 0.3 to 35 K in the n-InyGa1-yAs/InxAl1-xAs structures with high InAs content are measured. Indications pointing out the significant role of spin-orbit interaction for the values of the charge carrier parameters and in localization – delocalization processes are obtained.