Publication:
Nonthermal Mechanism of Defect Formation in the CdHgTe Semiconductor on Exposure to Soft X-rays

Дата
2019
Авторы
Sredin, V. G.
Ramakoti, R. S.
Anan'in, O. B.
Melekhov, A. P.
Gerasimov, I. A.
Bogdanov, G. S.
Novikov, I. K.
Frolova, I. V.
Dzhumaev, P. S.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт общей профессиональной подготовки (ИОПП)
Миссией Института является: фундаментальная базовая подготовка студентов, необходимая для получения качественного образования на уровне требований международных стандартов; удовлетворение потребностей обучающихся в интеллектуальном, культурном, нравственном развитии и приобретении ими профессиональных знаний; формирование у студентов мотивации и умения учиться; профессиональная ориентация школьников и студентов в избранной области знаний, формирование способностей и навыков профессионального самоопределения и профессионального саморазвития. Основными целями и задачами Института являются: обеспечение высококачественной (фундаментальной) базовой подготовки студентов бакалавриата и специалитета; поддержка и развитие у студентов стремления к осознанному продолжению обучения в институтах (САЕ и др.) и на факультетах Университета; обеспечение преемственности образовательных программ общего среднего и высшего образования; обеспечение высокого качества довузовской подготовки учащихся Предуниверситария и школ-партнеров НИЯУ МИФИ за счет интеграции основного и дополнительного образования; учебно-методическое руководство общеобразовательными кафедрами Института, осуществляющими подготовку бакалавров и специалистов по социо-гуманитарным, общепрофессиональным и естественнонаучным дисциплинам, обеспечение единства требований к базовой подготовке студентов в рамках крупных научно-образовательных направлений (областей знаний).
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.The effect of irradiation with soft X-rays produced by a laser plasma source equipped with an X-ray concentrator on the properties of the CdHgTe semiconductor are investigated. For this purpose, the mass concentration of atoms in the near-surface layer of the material is measured. It is demonstrated that the action of soft X-ray radiation leads to change in the solid-solution composition at the surface via a nonthermal mechanism and generates surface defects.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Nonthermal Mechanism of Defect Formation in the CdHgTe Semiconductor on Exposure to Soft X-rays / Sredin, V.G. [et al.] // Physics of Atomic Nuclei. - 2019. - 82. - № 11. - P. 1571-1575. - 10.1134/S1063778819110188
Коллекции