Publication:
Non-Stationary Photovoltage in Materials Science of Wide Band-Gap Semiconductors of Modern Adaptive Optics and Optoelectronics

Дата
2019
Авторы
Bryushinin, M. A.
Sokolov, I. A.
Romashko, R. V.
Zavestovskaya, I. N.
Kul'chin, Y. N.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019, Allerton Press, Inc.Non-stationary photovoltage excitation in silicon carbide and gallium oxide crystals is studied. The signal transient responses are measured, and the photoelectric parameters necessary for developing adaptive photodetectors, i.e., the specific photoconductivity, Maxwell relaxation time, and diffusion length of carrier transport, are determined. The sensitivity of the photodetector based on gallium oxide is determined.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Non-Stationary Photovoltage in Materials Science of Wide Band-Gap Semiconductors of Modern Adaptive Optics and Optoelectronics / Bryushinin, M.A. [et al.] // Bulletin of the Lebedev Physics Institute. - 2019. - 46. - № 12. - P. 387-389. - 10.3103/S1068335619120054
URI
https://www.doi.org/10.3103/S1068335619120054
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85078347824&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000512028100005
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/19359
Коллекции
Публикации