Publication:
Responses’ parameters of hydrogen sensors based on MISFET with Pd(Ag)-Ta 2 O 5 -SiO 2 -Si structure

Дата
2019
Авторы
Kovalenko, A.
Podlepetsky, B.
Samotaev, N.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Elsevier B.V. The influence of the hydrogen concentration and electric modes of measuring circuits on responses’ parameters of the hydrogen sensors based on metal-insulator-semiconductor field-effect transistor (MISFET) with structure Pd(Ag)-Ta 2 O 5 -SiO 2 -Si have been experimentally studied. MISFET-based sensing elements have been fabricated by means of conventional MOS-technology on single silicon chip together with (p–n)-junction temperature sensor and heater-resistor. The responses of MISFETs for different hydrogen concentrations and drain currents were measured. It was shown how the responses’ amplitude and time parameters depend on hydrogen concentrations and the measuring circuit's electric modes. To interpret results there was developed the generalized model of MISFET's responses for different hydrogen concentrations, parameters of which were calculated using experimental data. These models can be used for simulation and prediction performances of MISFET-based sensors and gas-analysis devices.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Kovalenko, A. Responses’ parameters of hydrogen sensors based on MISFET with Pd(Ag)-Ta 2 O 5 -SiO 2 -Si structure / Kovalenko, A., Podlepetsky, B., Samotaev, N. // Sensors and Actuators, B: Chemical. - 2019. - 290. - P. 698-705. - 10.1016/j.snb.2019.03.083
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.snb.2019.03.083
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85064242159&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000465427900088
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/16870
Коллекции
Публикации