Publication:
Статические и динамические характеристики резонансно-туннельных диодов в когерентной модели

Файлы
Grishakov_KS_STATICHESKIE_I_DINAMICHESKIE_HARAKTERISTIKI_REZONANSNO-TUNNELNYH_2017.pdf(2.97 MB)
Дата
2017
Авторы
Гришаков, К. С.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
МИФИ
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
автореф. дис. ... кандидата физ.-мат.наук (01.04.07 - физика конденсированного состояния)
Ключевые слова
Наноструктура , Резонансно-туннельный диод , РТД , Когерентное туннелирование электронов , Автор МИФИ , 01.04.07 - физика конденсированного состояния
Цитирование
Гришаков, К. С. Статические и динамические характеристики резонансно-туннельных диодов в когерентной модели : автореф. дис. ... кандидата физ.-мат.наук (01.04.07 - физика конденсированного состояния) / Гришаков К.С.; Науч.рук.Елесин В.Ф... - М. : МИФИ, 2017. - 24 с.
URI
https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/12799
 https://lib-repository.mephi.ru/abstracts_of_dissertations_mephi/Grishakov_KS_STATICHESKIE_I_DINAMICHESKIE_HARAKTERISTIKI_REZONANSNO-TUNNELNYH_2017.pdf
Коллекции
Авторефераты диссертаций