Publication:
Calibration and electric characterization of p-MNOS RADFETs at different dose rates and temperatures

Файлы
W2950852362.pdf(1.91 MB)
Дата
2019
Авторы
Anashin, V. S.
Zimin, P. A.
Mrozovskaya, E. V.
Chubunov, P. A.
Zebrev, G. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Elsevier B.V.This paper describes the radiation response and I-V characteristics of the stacked p-MNOS based RADFETs measured at different dose rates and irradiation temperatures. It is shown that the enhanced charge trapping takes place at the interface of the thick gate dielectrics in the MNOS transistors at low dose rates (ELDRS). The sensitivity of the radiation effect to irradiation temperature has also experimentally revealed. We associate both effects with the temperature and dose rate dependence of the effective charge yield in the thick oxides described within the framework of the previously proposed model. We have also simulated the I-V characteristics of the transistors for different total doses and irradiation conditions. It has been found the used electric and radiation models qualitatively and semi-quantitatively describe the observed dependencies of the RADFETs’ sensitivity on dose rates and irradiation temperatures for the devices with different thickness of insulators.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Calibration and electric characterization of p-MNOS RADFETs at different dose rates and temperatures / Anashin, V.S. [et al.] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. - 2019. - 940. - P. 307-312. - 10.1016/j.nima.2019.05.099
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.nima.2019.05.099
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85067872027&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000475349600043
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/18277
Коллекции
Публикации