Publication:
Semiconductor disk laser with a wavelength of 780 nm based on a MOCVD-grown Alx Ga1- x As/Aly Ga1- y As heterostructure with optical and electron beam pumping

Дата
2022
Авторы
Skasyrsky, Ya. K.
Andreev, A. Yu.
Yarotskaya, I. V.
Marmalyuk, A. A.
Butaev, M. R.
Kozlovsky, V. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2022 Kvantovaya Elektronika and IOP Publishing Limited.A pulsed semiconductor disk laser based on the Al x Ga1 - x As/Al y Ga1 - y As structure with resonantly periodic gain and a built-in Bragg mirror emitting at a wavelength near 780 nm is studied. The laser characteristics are presented both for pumping by an electron beam and for optical pumping by laser diode radiation with a wavelength of 450 nm. Under pumping by an electron beam, a peak power of 4.4 W is achieved with a slope efficiency of over 10 %, while under optical pumping, the power is 0.2 W with a slope efficiency of 2.2 % and approximately the same cavity parameters. Possible reasons for the lower powers and efficiency under optical pumping are discussed.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Semiconductor disk laser with a wavelength of 780 nm based on a MOCVD-grown Alx Ga1- x As/Aly Ga1- y As heterostructure with optical and electron beam pumping / Skasyrsky, Ya.K. [et al.] // Quantum Electronics. - 2022. - 52. - № 4. - P. 362-366. - 10.1070/QEL18017
Коллекции