Publication: ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ПАССИВИРУЮЩИХ ПОКРЫТИЙ В ТЕХНОЛОГИИ ПРИБОРОВ И ИС НА ОСНОВЕ GaAs
Дата
2012
Авторы
Волосов, А. В.
Кузнецов, А. Л.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
В качестве основного метода нанесения пассивирующих покрытий в технологии приборов и ИС на основе GaAs уже достаточно давно используется процесс плазмохимического нанесения Si3N4. Современное оборудование для реализации процессов плазмохимического осаждения диэлектрических пленок предоставляет технологам весьма широкий спектр режимов, которые обеспечивают хорошее качество пленок. Однако, наряду с качеством самих пленок, важным требованием к пассивирующим покрытиям является стабилизация характеристик границы раздела GaAs - Si3N4 на оптимальном уровне. Условия реализации плазмохимического осаждения позволяют как «законсервировать» поверхность GaAs, сформированную на подготовительных операциях, так и весьма существенно модифицировать ее за счет бомбардировки ускоренными частицами плазмы. В настоящей работе для осаждения Si3N4 были использованы два типа реакторов, - реактор, обеспечивающий энергию ионов, бомбардирующих подложку на уровне 10 эВ (далее низкоэнергетический реактор - НЭР), и классический планарный реактор с энергией ионов порядка 100 эВ (далее высокоэнергетический реактор - ВЭР).
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Волосов А. В., Кузнецов А. Л. ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ПАССИВИРУЮЩИХ ПОКРЫТИЙ В ТЕХНОЛОГИИ ПРИБОРОВ И ИС НА ОСНОВЕ GaAs //Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2012 г.: тезисы докладов. М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – с. 38-39.