Publication:
Transition radiation measurements with a Si and a GaAs pixel sensor on a Timepix3 chip

Файлы
W2932719657.pdf(1016.71 KB)
Дата
2020
Авторы
Dachs, F.
Alozy, J.
Bergmann, B. L.
van, Beuzekom, M.
Belyaev, N.
Doronin, S.
Filippov, K.
Ponomarenko, D.
Romaniouk, A.
Savchenko, A.
Показать ещё 10
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Growing energies of particles at modern or planned particle accelerator experiments as well as cosmic ray experiments require particle identification at gamma-factors (γ) of up to ∼10 5 . At present there are no detectors capable of identifying charged particles with reliable efficiency in this range of γ. New developments in high granular pixel detectors allow one to perform simultaneous measurements of the energies and the emission angles of generated transition radiation (TR) X-rays and use the maximum available information to identify particles. First results of studies of TR energy-angular distributions using gallium arsenide (GaAs) sensors bonded to Timepix3 chips are presented. The results are compared with those obtained using a silicon (Si) sensor of the same thickness of 500 μm. The analysis techniques used for these experiments are discussed.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Transition radiation measurements with a Si and a GaAs pixel sensor on a Timepix3 chip / Dachs, F. [et al.] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. - 2020. - 10.1016/j.nima.2019.03.092
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.nima.2019.03.092
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85063760451&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000514843900151
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/19976
Коллекции
Публикации