Publication:
Investigation and Simulation of SEL Cross Sections at Different Temperatures

Дата
2022
Авторы
Iakovlev, S.
Mrozovskaya, E.
Chubunov, P.
Zebrev, G. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
IEEEThe Single Event Latchup cross sections as functions of LET in different CMOS circuits were experimentally investigated at different temperatures. A simplified simulation method for the SEL cross section temperature dependence is proposed and validated.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Investigation and Simulation of SEL Cross Sections at Different Temperatures / Iakovlev, S. [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. - 2022. - 10.1109/TNS.2022.3156601
URI
https://www.doi.org/10.1109/TNS.2022.3156601
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85126334654&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000828698900037
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/28843
Коллекции
Публикации