Publication:
ПРОЦЕССЫ РАСПРОСТРАНЕНИЯ НОРМАЛЬНОЙ ЗОНЫ В ЭЛЕМЕНТАХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ КАБЕЛЕЙ ИНДУКТИВНОГО НАКОПИТЕЛЯ ЭНЕРГИИ

Дата
2026
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Выпуск журнала
Аннотация
В работе представлены результаты комплексного численного моделирования процессов распространения нормальной зоны в сверхпроводящих кабелях, применяемых в системах сверхпроводящего индуктивного накопления энергии, с учётом свойств материалов, геометрии проводников и условий охлаждения. На основе конечно-элементной модели выполнен сравнительный анализ РНЗ в ВТСП ленте REBCO, проводе MgB2 и многоленточных кабелях архитектур CORC, Рёбель и TSTC, показано существенное влияние материала и архитектуры кабеля на динамику квенча и тепловую устойчивость СПИН.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
ПРОЦЕССЫ РАСПРОСТРАНЕНИЯ НОРМАЛЬНОЙ ЗОНЫ В ЭЛЕМЕНТАХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ КАБЕЛЕЙ ИНДУКТИВНОГО НАКОПИТЕЛЯ ЭНЕРГИИ / МАРТИРОСЯН И. В. [и др.] // Лазерные, плазменные исследования и технологии - ЛаПлаз-2026: сборник научных трудов XII Международной конференции. - 2026. - С. 272