Publication:
Modeling of silicon-germanium heterojunction bipolar transistors

Дата
2019
Авторы
Bakerenkov, A. S.
Felitsyn, V. A.
Rodin, A. S.
Bursian, Y. D.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© Published under licence by IOP Publishing Ltd. The results of measurements of current-voltage characteristics of SiGe transistors for different temperatures are presented. The extraction results of parameters of test structures of the silicon-germanium SiGe bipolar transistors are presented.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Modeling of silicon-germanium heterojunction bipolar transistors / Bakerenkov, A.S. [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 475. - № 1. - 10.1088/1757-899X/475/1/012002
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/475/1/012002
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85062686937&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/16664
Коллекции
Публикации