Publication:
Nanosecond semiconductor disk laser emitting at 496.5 nm

Дата
2020
Авторы
Skasyrsky, Ya. K.
Butaev, M. R.
Kozlovsky, V. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020 Kvantovaya Elektronika and IOP Publishing LimitedAn optically pumped semiconductor disk laser based on a heterostructure containing ten CdS/ZnSe coupled quantum wells with type-II band offsets is studied. The structure was grown by metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) on a GaAs substrate. The peak power of the semiconductor disk laser achieved at room temperature under longitudinal pumping by a repetitively pulsed N2 laser was 0.75 W at a wavelength of 496.5 nm, a pulse duration of 3 ns, and a pulse repetition rate of 100 Hz. The slope efficiency of the disk laser was 2.7 %. The total divergence angle at a cavity length of 1.1 mm varied from 5 mrad near the lasing threshold to 15 mrad at the maximum pump power.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Skasyrsky, Ya. K. Nanosecond semiconductor disk laser emitting at 496.5 nm / Skasyrsky, Ya.K., Butaev, M.R., Kozlovsky, V.I. // Quantum Electronics. - 2020. - 50. - № 10. - P. 895-899. - 10.1070/QEL17387
Коллекции