Publication:
ПРИМЕНЕНИЕ СПЕКТРОСКОПИИ ИОННОГО РАССЕЯНИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ СЛОЕВ ЛИТИЯ НА ВОЛЬФРАМ

Файлы
стр. 111-113.pdf(610.24 KB)
Дата
2020
Авторы
ЕФИМОВ, Н. Е.
БУЛГАДАРЯН, Д. Г.
СИНЕЛЬНИКОВ, Д. Н.
КУРНАЕВ, В. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Выпуск журнала
Аннотация
В НИЯУ МИФИ проводятся исследования применения спектроскопии рассеяния протонов кэвных энергий для анализа тонких слоев кандидатных материалов ОПЭ [1–3]. Особенностью материалов, используемых в настоящее время в термоядерных установках, является большая разница в атомном номере материала, используемого для дивертора (вольфрам), и материалов с малым атомным номером, применяемым для кондиционирования первой стенки. Большая разница атомных номеров осаждаемых на подложку слоев прекрасно соответствует аналитическим возможностям применения протонов кэвных энергий, так как в этом случае толщину напыленных слоев можно определять с высокой точностью по энергетическим спектрам отраженных ионов [3].
Описание
Ключевые слова
Конференции НИЯУ МИФИ
Цитирование
Применение спектроскопии ионного рассеяния для анализа осаждения тонких слоев лития на вольфрам [Text]. / Ефимов Н.Е. [et al.] // Взаимодействие плазмы с поверхностью: сборник научных трудов XXIII конференции. - 2020. - С. 111-113
URI
https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/26688
Коллекции
2020_ Конференция " Взаимодействие плазмы с поверхностью (ХХIII ; 23-24 января 2020 г. ; Москва).