Персона: Синельников, Дмитрий Николаевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Статус
Фамилия
Синельников
Имя
Дмитрий Николаевич
Имя
50 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 50
- ПубликацияОткрытый доступРАЗВИТИЕ LIBS ДЛЯ АНАЛИЗА СОСТАВА ПОВЕРХНОСТИ ПЕРВОЙ СТЕНКИ ТОКАМАКА(НИЯУ МИФИ, 2024) ВОВЧЕНКО, Е. Д.; ГАСПАРЯН, Ю. М.; ГРИШАЕВ, М. В.; ЕФИМОВ, Н. Е.; СИНЕЛЬНИКОВ, Д. Н.; Гришаев, Максим Валерьевич; Гаспарян, Юрий Микаэлович; Вовченко, Евгений Дмитриевич; Ефимов, Никита Евгеньевич; Синельников, Дмитрий НиколаевичЛазерно-индуцированная искровая спектроскопия (LIBS) – хорошо известный метод аналитического исследования с широким спектром применений в науке и промышленности, позволяющий получать in situ информацию об элементном составе материалов с пространственным разрешением по глубине и площади поверхности [1, 2]. Интерес к применению LIBS для оперативного анализа поверхности обращенных к плазме материалов (PFM), расположенных внутри камеры токамака, основан на возможности проведения таких исследований удаленно и без контакта с атмосферой, в отличие от таких хорошо развитых диагностик как ВИМС, ТДС, ЭДА и др.
- ПубликацияТолько метаданныеAnalysis of the Influence of Laser Surface Irradiation Regimes in the Diagnostics of Hydrogen Isotope Retention(2023) Efimov, N. E.; Sinelnikov, D. N.; Grishaev, M. V.; Gasparyan, Y. M.; Efimov, V. S.; Krat, S.; Ефимов, Никита Евгеньевич; Синельников, Дмитрий Николаевич; Гришаев, Максим Валерьевич; Гаспарян, Юрий Микаэлович; Ефимов, Виталий Сергеевич; Крат, Степан Андреевич
- ПубликацияОткрытый доступTIME-OF-FLIGHT ANALYSIS OF IONS FROM LASER-INDUCED PLASMA(НИЯУ МИФИ, 2023) Grishaev, M. V.; Efimov, N. E.; Sinelnikov, D. N.; Nikitin, I. A.; Gasparyan, Y. M.; Vovchenko, E. D.; Вовченко, Евгений Дмитриевич; Синельников, Дмитрий Николаевич; Ефимов, Никита Евгеньевич; Гришаев, Максим Валерьевич; Гаспарян, Юрий Микаэлович; Никитин, Иван АндреевичOne of the most detrimental phenomena in fusion research is the interaction of plasma with a surface of a first wall and in-chamber elements. It causes erosion of the plasma-facing components (PFC), which in turn results in a degradation of plasma parameters due to transport of erosion products into the hot plasma. On the other hand, these processes cause re-deposition of the eroded material together with fuel components (deuterium and tritium). This is the dominant mechanism for fuel retention in PFC.
- ПубликацияОткрытый доступИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРИОДИЧЕСКОГО РАЗРЯДА В ПОТОКЕ ЖИДКОСТИ(НИЯУ МИФИ, 2018) СИНЕЛЬНИКОВ, Д. Н.; БУЛГАДАРЯН, Д. Г.; БУЯНОВ, Г. О.; Буянов, Григорий Олегович; Синельников, Дмитрий НиколаевичВ работе исследовался импульсный разряд в жидкости при атмосферном давлении. Разряды такого типа могут существенно модифицировать поверхности электродов, меняя как морфологию поверхности, так и ее прочностные характеристики. Охлаждение обрабатываемого образца потоком жидкости, используемой в разряде, не позволяет ей нагреваться до температур, близких к плавлению, при этом мощность, вкладываемая в разряд, составляет несколько кВт, а обрабатываемая поверхность имеет площадь несколько см2.
- ПубликацияОткрытый доступПРИМЕНЕНИЕ ЛАЗЕРНЫХ МЕТОДОВ ДЛЯ КОНТРОЛЯ СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ОПЭ НА ОСНОВЕ ЖИДКОГО ЛИТИЯ(НИЯУ МИФИ, 2026) ГРИШАЕВ, М. В.; СИНЕЛЬНИКОВ, Д. Н.; ГАСПАРЯН, Ю. М.; МОСЯКОВА, А. С.; ЕФИМОВ, Н. Е.; НИКИТИН, И. А.; Ефимов, Никита Евгеньевич; Гришаев, Максим Валерьевич; Гаспарян, Юрий Микаэлович; Синельников, Дмитрий Николаевич; Никитин, Иван АндреевичВыбор оптимальных материалов для обращённых к плазме элементов (ОПЭ) первой стенки остаётся ключевой задачей в проектировании термоядерных установок (ТЯУ). Наряду с разработкой новых материалов, значительное внимание уделяется технологиям защитных и возобновляемых покрытий. Одним из наиболее перспективных подходов является применение систем на основе жидкого лития [1].
- ПубликацияОткрытый доступПРИМЕНЕНИЕ СПЕКТРОСКОПИИ ИОННОГО РАССЕЯНИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ СЛОЕВ ЛИТИЯ НА ВОЛЬФРАМ(НИЯУ МИФИ, 2020) ЕФИМОВ, Н. Е.; БУЛГАДАРЯН, Д. Г.; СИНЕЛЬНИКОВ, Д. Н.; КУРНАЕВ, В. А.; Синельников, Дмитрий Николаевич; Ефимов, Никита ЕвгеньевичВ НИЯУ МИФИ проводятся исследования применения спектроскопии рассеяния протонов кэвных энергий для анализа тонких слоев кандидатных материалов ОПЭ [1–3]. Особенностью материалов, используемых в настоящее время в термоядерных установках, является большая разница в атомном номере материала, используемого для дивертора (вольфрам), и материалов с малым атомным номером, применяемым для кондиционирования первой стенки. Большая разница атомных номеров осаждаемых на подложку слоев прекрасно соответствует аналитическим возможностям применения протонов кэвных энергий, так как в этом случае толщину напыленных слоев можно определять с высокой точностью по энергетическим спектрам отраженных ионов [3].
- ПубликацияТолько метаданныеAnnealing effect on deuterium retention in W-Cr-Y alloy(2024) Wang, Y.; Harutyunyan, Z.; Gasparyan, Y.; Ogorodnikova, O.; Sinelnikov, D.; Efimov, N.; Umerenkova, A.; Grishaev, M.; Арутюнян, Зорий Робертович; Гаспарян, Юрий Микаэлович; Огородникова, Ольга Вячеславовна; Синельников, Дмитрий Николаевич; Ефимов, Никита Евгеньевич; Умеренкова, Анастасия Сергеевна; Гришаев, Максим Валерьевич
- ПубликацияТолько метаданныеAnalysis of Craters in Tungsten Films Irradiated with Picosecond Laser Pulses for Laser-Assisted Surface Diagnostics(2024) Efimov, N. E.; Sinelnikov, D. N.; Grishaev, M. V.; Gasparyan, Y. M.; Krat, S. A.; Sorokin, I. A.; Ефимов, Никита Евгеньевич; Синельников, Дмитрий Николаевич; Гришаев, Максим Валерьевич; Гаспарян, Юрий Микаэлович; Крат, Степан Андреевич; Сорокин, Иван Александрович
- ПубликацияОткрытый доступВАКУУМНЫЙ ПРОБОЙ С ВОЛЬФРАМОВЫХ КАТОДОВ, ПОКРЫТЫХ НАНОПУХОМ(НИЯУ МИФИ, 2017) СИНЕЛЬНИКОВ, Д. Н.; HWANGBO, D.; KAJITA, S.; OHNO, N.; БУЛГАДАРЯН, Д. Г.; КУРНАЕВ, В. А.; КОЛОДКО, Д. В.; Синельников, Дмитрий Николаевич; Колодко, Добрыня ВячеславичУниполярные дуги – негативное явление, возникающее между плаз-мой и первой стенкой в современных термоядерных установках. Инициа-ция дуги зависит как от параметров плазмы, так и от свойств обращенной к плазме поверхности и зависит от напряженности электрического поля между ними. В данной работе проводилось исследование роли поверхно-сти в этом явлении. Была использована установка для измерения пред-пробойных токов при контролируемых электрических полях. В настоящее время вольфрамовый нанопух, образующийся при взаимодействии плот-ной гелиевой плазмы с горячей поверхностью, является наиболее потен-циально опасным обращенным к плазме материалом по вероятности за-жигания дуг, и поэтому он был использован в качестве катода в данной работе. Поскольку вольфрамовый нанопух может окисляться при выносе на атмосферу в процессе переноса из линейного симулятора NAGDIS II, где он создавался, в установку для измерения предпробойных токов, экс-перимент проводился без контакта образца с атмосферой.
- ПубликацияОткрытый доступМОДИФИКАЦИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ ВОЛЬФРАМА И МОЛИБДЕНА В РЕЗУЛЬТАТЕ ВАКУУМНОГО ПРОБОЯ(НИЯУ МИФИ, 2016) СИНЕЛЬНИКОВ, Д. Н.; HWANGBO, D.; KAJITA, S.; OHNO, N.; БУЛГАДАРЯН, Д. Г.; КУРНАЕВ, В. А.; КОЛОДКО, Д. В.; Синельников, Дмитрий Николаевич; Колодко, Добрыня ВячеславичУниполярные дуги являются негативным явлением, возникающим ме-жду плазмой и первой стенкой в современных термоядерных установках. Более того, они происходят чаще при росте температуре и концентрации пристеночной плазмы. Механизм инициации дуги еще не до конца изучен, однако, важную роль в нем играет свойства обращенного к плазме мате-риала. Поскольку вольфрам будет одним из основных материалов дивер-торной области ИТЭР, достаточно важной задачей является исследование зажигания дуг с вольфрама, покрытого наноструктурами в виде «пуха», который может возникать при облучении ионами гелия.