Publication:
Методы и средства повышения устойчивости к многократным сбоям ячеек статической памяти и комбинационных элементов металл-оксид-полупроводниковых микросхем с проектными нормами уровня 65 НМ

Простая страница элемента
dc.contributor.advisorГорбунов, М. С.
dc.contributor.authorБалбеков, А. О.
dc.date.accessioned2024-08-13T09:02:07Z
dc.date.available2024-08-13T09:02:07Z
dc.date.issued2022
dc.descriptionавтореф. дис. ... кандидата техн. наук (05.13.05 - элементы и устройства вычислительной техники и систем управления)
dc.identifier.citationБалбеков, А. О. Методы и средства повышения устойчивости к многократным сбоям ячеек статической памяти и комбинационных элементов металл-оксид-полупроводниковых микросхем с проектными нормами уровня 65 НМ : автореф. дис. ... кандидата техн. наук (05.13.05 - элементы и устройства вычислительной техники и систем управления) / А.О. Балбеков; рук. работы:М.С. Горбунов ; ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН. - Москва : ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН, 2022. - 25 с.
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/13397
dc.identifier.urihttps://lib-repository.mephi.ru/abstracts_of_dissertations_mephi/Balbekov_AO_Metody_i_sredstva_2022.pdf
dc.languagerusru
dc.publisherФГУ ФНЦ НИИСИ РАН
dc.relation.ispartof25 c.
dc.subjectИнтегральные микросхемы
dc.subjectМоделирование
dc.subjectСбоеустойчивость
dc.subject05.13.05 - элементы и устройства ВТ и систем управления
dc.titleМетоды и средства повышения устойчивости к многократным сбоям ячеек статической памяти и комбинационных элементов металл-оксид-полупроводниковых микросхем с проектными нормами уровня 65 НМ
dc.typeАвтореферат диссертации канд. техн. наук
dspace.entity.typePublication
Файлы
Original bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
Balbekov_AO_Metody_i_sredstva_2022.pdf
Size:
792.96 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
Коллекции
Авторефераты диссертаций