Publication:
Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры ( λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости

Дата
2023
Авторы
Слипченко, С. О.
Подоскин, А. А.
Николаев, Д. Н.
Шамахов, В. В.
Шашкин, И. С.
Кондратов, М. И.
Гордеев, И. Н.
Гришин, А. Е.
Казакова, А. Е.
Гаврина, П. С.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Выпуск журнала
Выпуск журнала
Квантовая электроника
2023 - 53 - 5
Аннотация
Исследовано влияние конструкции активной области на расходимость излучения в дальней зоне, в плоскости, перпендикулярной p – n-переходу, мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом толщиной 4 мкм, с одной (SQW) и двумя (DQW) квантовыми ямами InGaAs. Показано, что количество квантовых ям оказывает существенное влияние на величину расходимости, определяемую углом, захватывающим 95 % излучаемой мощности (Θ95 %). Для асимметричных гетероструктур с активной SQW-областью угловая расходимость излучения на уровне половины высоты от максимума интенсивности составила 12.9°. Экспериментально показано, что переход от SQW- к DQW-конструкции активной области приводит к увеличению значения Θ95 % с 23.2 ° до 41.8 °. Для обоих типов структур внутренние оптические потери и внутренний квантовый выход стимулированного излучения составили 0.27 см–1 и 99 % соответственно. На основе асимметричных гетероструктур с активной SQW-областью были продемонстрированы мощные полупроводниковые лазеры, излучающие в непрерывном режиме мощность 9 Вт при температуре и токе накачки: 25 °С/10 А, 55 °С/11.4 А.
Описание
Ключевые слова
угол, захватывающий 95 % излучаемой мощности , дизайн активной области , угловая расходимость в перпендикулярной плоскости , мощные полупроводниковые лазеры
Цитирование
Слипченко С.О., Подоскин А.А., Николаев Д.Н., Шамахов В.В., Шашкин И.С., Кондратов М.И., Гордеев И.Н., Гришин А.Е., Казакова А.Е., Гаврина П.С., Бахвалов К.В., Копьев П.С., Пихтин Н.А. “Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры ( λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости”, Квантовая электроника, 53 (5), 374–378 (2023).
Коллекции