Publication:
Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры ( λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости

Простая страница элемента
creativeworkseries.issn0368-7147
dc.contributor.authorСлипченко, С. О.
dc.contributor.authorПодоскин, А. А.
dc.contributor.authorНиколаев, Д. Н.
dc.contributor.authorШамахов, В. В.
dc.contributor.authorШашкин, И. С.
dc.contributor.authorКондратов, М. И.
dc.contributor.authorГордеев, И. Н.
dc.contributor.authorГришин, А. Е.
dc.contributor.authorКазакова, А. Е.
dc.contributor.authorГаврина, П. С.
dc.contributor.authorБахвалов, К. В.
dc.contributor.authorКопьев, П. С.
dc.contributor.authorПихтин, Н. А.
dc.date.accessioned2024-05-28T12:21:42Z
dc.date.available2024-05-28T12:21:42Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractИсследовано влияние конструкции активной области на расходимость излучения в дальней зоне, в плоскости, перпендикулярной p – n-переходу, мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом толщиной 4 мкм, с одной (SQW) и двумя (DQW) квантовыми ямами InGaAs. Показано, что количество квантовых ям оказывает существенное влияние на величину расходимости, определяемую углом, захватывающим 95 % излучаемой мощности (Θ95 %). Для асимметричных гетероструктур с активной SQW-областью угловая расходимость излучения на уровне половины высоты от максимума интенсивности составила 12.9°. Экспериментально показано, что переход от SQW- к DQW-конструкции активной области приводит к увеличению значения Θ95 % с 23.2 ° до 41.8 °. Для обоих типов структур внутренние оптические потери и внутренний квантовый выход стимулированного излучения составили 0.27 см–1 и 99 % соответственно. На основе асимметричных гетероструктур с активной SQW-областью были продемонстрированы мощные полупроводниковые лазеры, излучающие в непрерывном режиме мощность 9 Вт при температуре и токе накачки: 25 °С/10 А, 55 °С/11.4 А.
dc.identifier.citationСлипченко С.О., Подоскин А.А., Николаев Д.Н., Шамахов В.В., Шашкин И.С., Кондратов М.И., Гордеев И.Н., Гришин А.Е., Казакова А.Е., Гаврина П.С., Бахвалов К.В., Копьев П.С., Пихтин Н.А. “Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры ( λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости”, Квантовая электроника, 53 (5), 374–378 (2023).
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10387
dc.subjectугол, захватывающий 95 % излучаемой мощности
dc.subjectдизайн активной области
dc.subjectугловая расходимость в перпендикулярной плоскости
dc.subjectмощные полупроводниковые лазеры
dc.titleМощные многомодовые полупроводниковые лазеры ( λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости
dc.title.alternativeЛазеры
dc.typeArticle
dspace.entity.typePublication
relation.isJournalIssueOfPublicationa3dd62c5-9df6-44c3-9001-7170b17961ff
relation.isJournalIssueOfPublication.latestForDiscoverya3dd62c5-9df6-44c3-9001-7170b17961ff
relation.isJournalOfPublication912baea6-a69f-48e5-a2df-af616dd3d576
Файлы
Original bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
0374.pdf
Size:
674.86 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
license.txt
Size:
3.45 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description:
Download
Коллекции