Publication:
The migration behaviour of strontium co-implanted with helium into SiC at room temperature and annealed at temperatures above 1000 °C

Дата
2024
Авторы
Hlatshwayo, T. T.
Mokgadi, T. F.
Sohatsky, A.
Abdalla, Z. A. Y.
Skuratov, V. A.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
The migration behaviour of strontium co-implanted with helium into SiC at room temperature and annealed at temperatures above 1000 °C / Hlatshwayo, T.T. [et al.] // Vacuum. - 2024. - 230. - 10.1016/j.vacuum.2024.113676
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.vacuum.2024.113676
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85204709878&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/26311
Коллекции
Публикации