Publication:
Estimation of Errors of Integrated Hydrogen Sensors based on MISFET with structure Pd-Ta2O5-SiO2-Si

Дата
2019
Авторы
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 IEEE.We have estimated various types of errors of integrated hydrogen sensors based on MISFETs with structure Pd-Ta2O5-SiO2-Si on the basis of experimental studies of the multiple sensors' hydrogen responses, taking into account operating modes. The generalized model for the calculation of these errors was proposed.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Kovalenko, A. Estimation of Errors of Integrated Hydrogen Sensors based on MISFET with structure Pd-Ta2O5-SiO2-Si / Kovalenko, A., Podlepetsky, B. // 2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics, MIEL 2019 - Proceedings. - 2019. - P. 309-312. - 10.1109/MIEL.2019.8889631
Коллекции