Publication:
Degradation of bipolar transistors at high doses obtained at elevated temperature applied during gamma-irradiation

Дата
2019
Авторы
Petrov, A. S.
Tapero, K. I.
Galimov, A. M.
Zebrev, G. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Elsevier LtdThe paper presents investigation results of radiation-induced change in current gain of bipolar transistors at elevated temperature applied during gamma-irradiation with high levels of dose. The regularities obtained during irradiation at elevated temperature coincide qualitatively with the data obtained previously during irradiation at low dose rate. Results of simulation confirm the possibility of applying of developed model of radiation induced degradation of bipolar transistor for irradiation at different temperatures.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Degradation of bipolar transistors at high doses obtained at elevated temperature applied during gamma-irradiation / Petrov, A.S. [et al.] // Microelectronics Reliability. - 2019. - 100-101. - 10.1016/j.microrel.2019.06.070
Коллекции