Publication:
Total dose measurements by p-channel transistors of ICs

Дата
2019
Авторы
Butin, I. V.
Butina, A. V.
Butin, V. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт физико-техничеcких интеллектуальных систем
Институт физико-технических интеллектуальных систем впервые в стране обеспечивает комплексную подготовку специалистов по созданию киберфизических устройств и систем самого различного назначения – основного вида технических устройств середины 21 века. ИФТИС реализует «дуальную» модель образования, в рамках которой направляет студентов на стажировку и выпускников для трудоустройства на передовые предприятия, занятые созданием инновационных киберфизических продуктов, в первую очередь, на предприятия ГК «Росатом». Основным индустриальным партнером ИФТИС является ведущее предприятие ГК «Росатом» — ФГУП «ВНИИА им. Н.Л. Духова».
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. In this paper, a new approach of p-channel MOS-transistors used for total dose monitoring at semiconductor components under radiation is presented. The calibration results enable to determine the numerical parameters for the MOSFETs electro-physical model of dose effects. We propose to calculate the total dose of ionization flux using the results of MOS-transistors drain current measurements, under a fixed gate and drain voltage.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Butin, I. V. Total dose measurements by p-channel transistors of ICs / Butin, I.V., Butina, A.V., Butin, V.I. // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 498. - № 1. - 10.1088/1757-899X/498/1/012007
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/498/1/012007
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85065577587&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000472784800007
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/17999
Коллекции
Публикации