Publication:
Gallium Nitride FET Model

Дата
2019
Авторы
Orlov, V. V.
Zebrev, G. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© Published under licence by IOP Publishing Ltd. We have presented an analytical physics-based compact model of GaN power FET, which can accurately describe the I-V characteristics in all operation modes. The model considers the source-drain resistance, different interface trap densities and self-heating effects.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Orlov, V. V. Gallium Nitride FET Model / Orlov, V.V., Zebrev, G.I. // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 475. - № 1. - 10.1088/1757-899X/475/1/012007
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/475/1/012007
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85062726265&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/16658
Коллекции
Публикации