Publication:
Estimation of errors of RADFET-based dosimeters

Дата
2020
Авторы
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
We have estimated various types of errors dosimeters based on n-channel field-effect transistors with a metal-insulator-semiconductor structure (called as RADFETs). The radiation sensitivity have been experimentally investigated. There were measured the gate voltage of RADFET -based dosimeter as function of total ionizing dose (TID) at constant values of the drain current and the drain - source voltage, as well as the current -voltage characteristics before and after irradiations at different TID. We showed how radiation sensitivity and errors of sensors are depending on TID and electrical modes. Electro-physical models were proposed to interpret obtained results. © 2020 IEEE.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Estimation of errors of RADFET-based dosimeters / Podlepetsky, B.I. [et al.] // 2020 20th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, RADECS 2020 - Proceedings. - 2020. - 10.1109/RADECS50773.2020.9857735
Коллекции