Publication:
A linear "extrinsic" compact model for short-channel MOSFET drain current asymptotic dependence on drain bias in saturation regime

Дата
2019
Авторы
Turin, V.
Shkarlat, R.
Poyarkov, V.
Kshensky, O.
Zebrev, G.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 SPIE. We derived the equation for the drain current of a short-channel MOSFET with nonzero differential conductance in saturation regime describing its nonlinear dependence on "extrinsic" drain bias and accounting for the parasitic and contact series resistances. This implicit equation could be numerically solved in the entire range of the drain biases. We have also derived the equation for the differential conductance of the "extrinsic" MOSFET in the saturation regime. Finally, we have proposed a linear approximation for asymptotic dependence of the "extrinsic" MOSFET drain current on "extrinsic" drain bias in saturation regime.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
A linear "extrinsic" compact model for short-channel MOSFET drain current asymptotic dependence on drain bias in saturation regime / Turin, V. [et al.] // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. - 2019. - 11022. - 10.1117/12.2521880
URI
https://www.doi.org/10.1117/12.2521880
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85063527385&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000464735700016
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/16776
Коллекции
Публикации