Publication:
Accounting for Carrier Mobility Reduction due to the Normal Field in the Saturation Current Modeling of Extrinsic MOSFETs

Дата
2023
Авторы
Turin, V. O.
Ilyushina, Y. V.
Shcherbina, M. A.
Rakhmatov, B. A.
Zebrev, G. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Accounting for Carrier Mobility Reduction due to the Normal Field in the Saturation Current Modeling of Extrinsic MOSFETs / Turin, V. O. [et al.] // Russian Microelectronics. - 2023. - 52. - № Suppl 1. - P. S6-S13. - 10.1134/S1063739723600814
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063739723600814
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85188520665&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/29782
Коллекции
Публикации