Publication:
Infrared photoluminescence from GeO[SiO2] and GeO[SiO] solid alloy layers irradiated with swift heavy Xe ions

Дата
2020
Авторы
Cherkova, S. G.
Volodin, V. A.
Stoffel, M.
Rinnert, H.
Skuratov, V. A.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020 Elsevier B.V.Germanium silicate suboxide films deposited from GeO/SiO and GeO/SiO2 precursors onto Si(001) substrates using evaporation in high vacuum were modified by swift heavy ions. The films were irradiated by 167 MeV Xe+26 ions with fluences varying from 1011 to 1013 cm−2. We report photoluminescence in the infrared range both at low and at room temperature, which is most probably due to defect-induced radiative transitions in the films.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Infrared photoluminescence from GeO[SiO2] and GeO[SiO] solid alloy layers irradiated with swift heavy Xe ions / Cherkova, S.G. [et al.] // Journal of Luminescence. - 2020. - 223. - 10.1016/j.jlumin.2020.117238
Коллекции